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Disco Ssd M.2 Samsung 970 Evo 1TB - Nvme Pcie MZ-V7S1T0BW
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Disco Ssd M.2 Samsung 970 Evo 1TB - Nvme Pcie MZ-V7S1T0BW
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- Samsung 970 EVO 1TB - NVMe PCIe M.2 2280 SSD %28MZ-V7S1T0BW%29
- Construido con la tecnología V-NAND líder de la industria de Samsung para un rendimiento confiable y superior
- Lea velocidades de hasta 3,500MB / s %2A con una resistencia excepcional de hasta 1,200 TBW %2A %28%2A Puede variar según la capacidad%29
- Clonación y transferencias de archivos sin problemas con el software Samsung Magician, la solución de administración de SSD ideal para la optimización del rendimiento y la seguridad de los datos con actualizaciones automáticas de firmware
- La interfaz NVMe %28PCIe M.2 2280%29 ofrece un ancho de banda mejorado, baja latencia y eficiencia energética, perfecta para los entusiastas de la tecnología, los jugadores de gama alta y los diseñadores de contenido 3D y 4K. Consumo de energía %28Inactivo%29: Máx. 30 m
- General Feature
- ApplicationClient PCs
- Capacity1,000GB %281GB=1 Billion byte by IDEMA%29 %2A Actual usable capacity may be less %28due to formatting, partitioning, operating system, applications or otherwise%29
- Form FactorM.2 %282280%29
- InterfacePCIe Gen 3.0 x 4, NVMe 1.3
- Dimension %28WxHxD%2980.15 x 22.15 x 2.38 %28mm%29
- WeightMax 8.0 g Weight
- Storage MemorySamsung V-NAND 3-bit MLC
- ControllerSamsung Phoenix Controller
- Cache MemorySamsung 1GB Low Power DDR4 SDRAM
- Special Feature
- TRIM SupportSupported
- S.M.A.R.T SupportSupported
- GC %28Garbage Collection%29Auto Garbage Collection Algorithm
- Encryption SupportAES 256-bit Encryption %28Class 0%29TCG/Opal IEEE1667 %28Encrypted drive%29
- WWN SupportNot supported
- Device Sleep Mode SupportYes
- Performance
- Sequential ReadUp to 3,500 MB/s %2A Performance may vary based on system hardware & configuration
- Sequential WriteUp to 3,300 MB/s %2A Performance may vary based on system hardware & configuration
- Random Read %284KB, QD32%29Up to 600,000 IOPS %2A Performance may vary based on system hardware & configuration
- Random Write %284KB, QD32%29Up to 550,000 IOPS %2A Performance may vary based on system hardware & configuration
- Random Read %284KB, QD1%29Up to 19,000 IOPS %2A Performance may vary based on system hardware & configuration
- Random Write %284KB, QD1%29Up to 60,000 IOPS %2A Performance may vary based on system hardware & configuration
- Environment
- Average Power Consumption %28system level%29%2A Average: 6 W %2A Maximum: 9 W %28Burst mode%29 %2A Actual power consumption may vary depending on system hardware & configuration
- Power consumption %28Idle%29Max. 30 mW %2A Actual power consumption may vary depending on system hardware & configuration
- Allowable Voltage3.3 V ± 5 % Allowable voltage
- Reliability %28MTBF%291.5 Million Hours Reliability %28MTBF%29
- Operating Temperature0 - 70 ℃ Operating Temperature
- Shock1,500 G & 0.5 ms %28Half sine%29
- Capacidad
- 1TB
- Conexión
- M.2
- Numero de Parte
- MZ-V7S1T0BW
8910
Samsung Electronics Co., LTD.
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